“โตชิบา อิเล็กทรอนิก ดีไวเซส แอนด์ สตอเรจ” เปิดตัวมอสเฟตกําลังชนิด N-channel ระดับ 150V ใช้กระบวนการรุ่นใหม่ล่าสุดเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพในการจ่ายกำลัง

thaipr.net — Thu, 31 Mar 2022 14:10:00 +0700

โตชิบา อิเล็กทรอนิก ดีไวเซส แอนด์ สตอเรจ คอร์ปอเรชัน (Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation) หรือ “โตชิบา” (Toshiba) ได้เปิดตัวมอสเฟตกําลัง (Power MOSFET) ชนิด N-channel ระดับ 150V ในชื่อรุ่นว่า “TPH9R00CQH” (https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/product/mosfets/12v-300v-mosfets/detail.TPH9R00CQH.html) ซึ่งใช้กระบวนการรุ่นใหม่ล่าสุด (*1) อย่าง “U-MOSX-H” เหมาะสำหรับการใช้ในการสับเปลี่ยนแหล่งจ่ายไฟสำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรม รวมถึงอุปกรณ์ที่ใช้ในศูนย์ข้อมูลและสถานีฐานเพื่อการสื่อสาร โดยจะเริ่มจัดส่งในวันที่ 31 มีนาคม รูปภาพ: https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M107097/202203249042/_prw_PI1fl_As0mw3xi.jpg TPH9R00CQH มีค่าความด้านทานระหว่างขาเดรนกับซอร์ส (drain-source on-resistance) ลดลงประมาณ 42% เมื่อเทียบกับ TPH1500CNH ซึ่งเป็นผลิตภัณฑ์กลุ่ม 150V ที่ใช้กระบวนการรุ่นปัจจุบันอย่าง U-MOSVIII-H การปรับโครงสร้างของมอสเฟตรุ่นใหม่ให้มีประสิทธิภาพขึ้นนั้น ได้เข้ามาช่วยปรับปรุงส่วนได้ส่วนเสีย (*2) ระหว่างค่าความด้านทานระหว่างขาเดรนกับซอร์สและลักษณะการชาร์จทั้งสอง (*3) ทำให้เกิดการสูญเสียต่ำ นอกจากนี้ […]

The post “โตชิบา อิเล็กทรอนิก ดีไวเซส แอนด์ สตอเรจ” เปิดตัวมอสเฟตกําลังชนิด N-channel ระดับ 150V ใช้กระบวนการรุ่นใหม่ล่าสุดเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพในการจ่ายกำลัง appeared first on ThaiPR.NET.